- Quad-Level-Cell (QLC) 3D ფლეშ მეხსიერება ინდუსტრიის ეტალონს აწესებს წარმადობის, ბიტური სიმჭიდროვისა და ენერგოეფექტურობის კუთხით
- ეს არის პირველი QLC 3D ფლეში, რომელმაც 4.8 გბ/წმ ინტერფეისს მიაღწია, რაც უზრუნველყოფს მონაცემთა ულტრასწრაფ გადაცემას მეხსიერებასა და პროცესორს შორის
- ეს არის გარღვევა, რომელმაც შესაძლოა მონაცემთა ცენტრებს 1 PB (პეტაბაიტი) მოცულობის საცავი შესთავაზოს
SanDisk-მა წარადგინა ჩიპი, რომელმაც შესაძლოა რევოლუცია მოახდინოს მონაცემთა ცენტრებში და ღრუბლოვანი მეხსიერება და ხელოვნური ინტელექტი (AI) ახალ საფეხურზე აიყვანოს თავისი QLC 3D ფლეშ მეხსიერების ტექნოლოგიით, რომელიც Kioxia-სთან თანამშრომლობით შეიქმნა. კომპანიების CMOS directly Bonded to Array (CBA) ტექნოლოგიის გამოყენებით, მე-10 თაობის Quad-Level-Cell 3D ფლეშ მეხსიერებამ ინდუსტრიის ახალი სტანდარტი დააწესა, რაც კონკურენტი მეხსიერების მწარმოებლებისთვის ორიენტირს წარმოადგენს.
ჩიპს აქვს 60%-ით გაზრდილი ბიტური სიმჭიდროვე მე-8 თაობის 3D ფლეშ მეხსიერებასთან შედარებით და ასევე აწესებს ეტალონს წარმადობისა და ენერგოეფექტურობის მხრივ.
37 გბ/მმ² (გიგაბიტი კვადრატულ მილიმეტრზე) სიმჭიდროვით, QLC 3D ფლეში შეიძლება გამოყენებულ იქნას მონაცემთა ცენტრების სერვერებისთვის პირველი 1-პეტაბაიტიანი (ეს არის 1000 ტერაბაიტი) მყარი დისკების (SSD) ასაწყობად.
Wafer bonding (ფირფიტების შეერთება)
CMOS directly Bonded to Array ტექნოლოგია, რომლის დროსაც CMOS ფირფიტები (wafers) უერთდება უჯრედოვანი მასივის (cell array) ფირფიტებს მათი ცალ-ცალკე წარმოების შემდეგ, QLC 3D ფლეშ მეხსიერების განვითარების საფუძველია. „ფირფიტების მაღალი სიზუსტის ურთიერთდამთხვევის“ (wafer-to-wafer alignment) გამოყენებით, ახალი ჩიპები პირველია, რომლებმაც QLC 3D ტექნოლოგიით 4.8 გბ/წმ ინტერფეისს მიაღწიეს (სატესტო პირობებში).
QLC 3D ფლეშ მეხსიერებაზე დაფუძნებული პოტენციური 1 PB SSD-ის კრისტალის (die) მოცულობა და შეფუთვის სიმჭიდროვე არაპრაქტიკულია (როგორც ღირებულების, ისე სივრცის თვალსაზრისით) საშინაო სისტემებისთვის, თუმცა მისი ადაპტირება შესაძლებელია ულტრამჭიდრო 1U და 2U თაროსებრი (rack) სერვერებისთვის თანამედროვე, სპეციალურად აგებულ მონაცემთა ცენტრებში.
ჩიპების ზომა სხვა სახის გამოყენებას არაპრაქტიკულს ხდის და საჭიროებს მოწინავე 3D შეფუთვას 64 ან 128 კრისტალისგან შემდგარ დასტებში (stacks) 1 PB SSD მიზნის მისაღწევად, სახაზავის მსგავსი, 318 მმ სიგრძის EDSFF E1.L და E3.L ფორმ-ფაქტორის დედაპლატების (PCB), ისევე როგორც ცოტა ხნის წინ განსაზღვრული E2 ფორმ-ფაქტორის (ზომებით 200 მმ x 76 მმ) გამოყენებით. ეს უკანასკნელი სპეციალურად 1 PB დისკებისთვის შეიქმნა.
მომავალი თაობის ინფრასტრუქტურა
ხელოვნური ინტელექტის დანერგვისკენ სწრაფვა მთელ მსოფლიოში მოითხოვს სულ უფრო დახვეწილ საცავებს, რათა აგენტებზე დაფუძნებული, ფიზიკური AI და გენერაციული AI ეფექტურად იქნას მიწოდებული. ჩიპი, რომელიც საკმარისად მჭიდროა 1 PB SSD-ის შესაქმნელად, გადამწყვეტია ამ შემდეგი ნაბიჯისთვის.
„QLC NAND-ის წარმადობისა და ეფექტურობის საზღვრების ხელახალი განსაზღვრით, ჩვენი მე-10 თაობის QLC 3D ფლეშ მეხსიერება უზრუნველყოფს სიმჭიდროვის, გამტარუნარიანობისა და ენერგოეფექტურობის ერთდროულ ზრდას და ამკვიდრებს ახალ პარადიგმას მაღალი ტევადობის ფლეშ საცავებისთვის, რათა შეიქმნას მასშტაბირებადი საფუძველი მომავალი თაობის ინფრასტრუქტურული აპლიკაციებისთვის“, — აღნიშნა Sandisk-ის ტექნოლოგიურმა დირექტორმა (CTO), ალპერ ილკბაჰარმა.
Kioxia-ს ტექნოლოგიური დირექტორი, ჰიდეში მიიაჯიმა დასძენს: „QLC ტექნოლოგია საშუალებას იძლევა ეფექტურად შეინახოს სწრაფად მზარდი მონაცემთა მოცულობა, რაც ხელს უწყობს AI სისტემების უფრო მეტ წარმადობასა და მასშტაბირებადობას“.
AI მონაცემთა ცენტრებისა და ღრუბლოვანი სერვისების პროვაიდერებისთვის ეს დიდი ხნის ნანატრი მოვლენაა, რაც Sandisk-სა და Kioxia-ს მათ მთავარ კონკურენტზე, Samsung-ზე წინ აყენებს ამ სფეროში, რომელიც ამ გამოწვევას მეტი ფენის გამოყენებით უპირისპირდება (1000+ ულტრამაღალ დასტებში, Sandisk/Kioxia-ს 332 ფენასთან შედარებით). გარდა ამისა, ეს განცხადება მიუთითებს იმაზე, რომ 1 PB Sandisk/Kioxia SSD შეიძლება 2027 წელს გამოვიდეს, Samsung-ის ნებისმიერ მომავალ 1 PB SSD-ზე ადრე.
