გუშინ კომპანია Intel-მა უახლოესი რამდენიმე წლის ტექნოლოგიური განვითარების გეგმა გააზიარა. ცნობილია, რომ კომპანიაში პეტ გელსინჯერის დაბრუნების შემდეგ მათ გადაწყვიტეს საწარმოო სიმძლავრეები სხვა კომპანიებისთვისაც გახსნან ისე, როგორც ამას TSMC და SAMSUNG აკეთბს. ახა უკვე ოფიციალურადაა ცნობილი, რომ Intel Foundry Services ქარხნებში მომავალში Qualcomm-ის ჩიპების წარმოება იქნება გაშვებული. ახლა Qualcomm იყენებს SAMSUNG-ისა და TSMC-ს საწარმოო სიმძლავრეებს.
მეორე მნიშვნელოვანი სიახლეა ნანომეტრებიდან ანგსტრემებზე გადასვლა
მარკირების შეცვლა
Intel-მა მიკროსქემების წარმოების ტექნოლოგიური კვანძების მარკირება შეცვალა. ეს ციფრები თავიდანვე უნდა ყოფილიყო ტრანზისტორების ზომებზე მიმთითებელი, მაგრამ მარკეტოლოგების ხელში აღმოჩნდნენ და მათი მნიშვნელობა დროთა განმავლობაში უნდა შემცირებულიყო პროგრესის შესაბამისად. ახლა Intel ისევე მოიქცევა როგორც TSMC და Samsung, რომ არ გამოიყურებოდეს ჩამორჩენილად მათ ფონზე.
| ძველი დასახელება | ახალი დასახელება | დაგეგმილია გამოშვებისთვის | პროდუქტები | ფუნქციები |
| 10SF | 10SF | ახლა | Tiger Lake SG1 DG1 Xe-HPC Base Tile Agilex-F/I FPGA | SuperMIM Thin Film Barrier უკვე გაყიდვაშია |
| 10ESF | Intel 7 | 2021 H2 | Alder Lake (21) Raptor Lake (22)? Sapphire Rapids (22) Xe-HP Xe-HPC IO Tile | +10-15% PPW ახალი FinFET |
| 7 ნმ | Intel 4 | 2022 H2 2023 H1 | Meteor Compute Tile Granite Compute Tile | +20% PPW Больше EUV |
| 7+ | Intel 3 | 2023 H2 | – | +18% PPW ნაკლები ზომა მეტი EUV |
| 5 ნმ | Intel 20A | 2024 | – | RibbonFET PowerVia |
| 5+ | Intel 18A | 2025 | მე-2 თაობის RibbonFET High NA EUV |
ახალი სქემის თანახმად “Intel 10nm Enhanced Super Fin” მარკირების თანახმად გამოყენებული იქნება “Intel 7”, რადგანაც აქ მიკროსქემების სიმჭიროვე შეესაბამება TSMC-ისა და Samsung-ის 7 ნანომეტრიან კვანძებს. ამ ტექნოლოგიურ პროცესის დანერგვას კომპანია 2022 წლის პირველ კვარტალში დანერგავს (TSMC და Samsung უკვე 5 ნანომეტრზე მუშაობენ).
ტექპროცესი “Intel 4”, რომელსაც კომპანია ადრე “7 ნანომეტრად” მოიხსენიებდა ახლა შეესაბამება TSMC-სა და Samsung-ის 4 ნანომეტრიან კვანძს და მისი ამოქმედება 2023 წლიდან არის დაგემილი.
ძველი სახელწოდება 10ESF-ს შეესაბამება ახალი Intel 7, ძველი 7 ნმ – ახალი Intel 4, ძველი 7+ გახდა ახალი Intel 3, 5 ნმ გახდა Intel 20A, ხოლო 5+ გახდა Intel 18A
| ტრანზისტორების მაქსიმალური სიმჭიდროვე (მილიონი ტრანზისტორი კვადრატულ მილიმეტრზე) | ||||
| IBM | TSMC | Intel | Samsung | |
| 22 ნმ | 16,50 | |||
| 16/14 ნმ | 28,88 | 44,67 | 33,32 | |
| 10 ნმ | 52,51 | 100,76 | 51,82 | |
| 7 ნმ | 91,20 | 100,76 | 95,08 | |
| 5/4 ნმ | 171,30 | ~200 | 126,89 | |
| 3 ნმ | 292,21 | |||
| 2 ნმ / 20A | 333,33 |
Intel 20A
როცა ნანომეტრები დასრულება, Intel გვთავაზობს ანგსტრემებზე გადასვლას, რაც უფრო ნაკლები სიდიდეა.
1 ანგსტრემი = 10-10 მეტრია და შედარებით მოხეხებული საზომი ერთიულია, ის ელექტრონის ორბიტის დიამეტრს შეესაბამება წყალბადის ატომში და ასევე ატომური მესერის ბიჯს კრისტალების უმრავლესობაში.
202ტ წელს კომპანიას უნდა “Intel 20A” ტექნოლოგიური კვანძის ათვისება, რაც 2 ნანომეტრის ტოლფასია, მაგრამ ადრე Intel-ის მარკირებით ეს “5 ნმ” იყო. 2025 წელს კომპანია “Intel 18A”-ზე დაიწყებს მუშაობას.
ამ ტექნოლოგიურ კვანძში კომპანია ზოგიერთ არქიტექტურულ ცვლილებას შეიტანს. წლების განმავლობაში Intel იყენებდა FinFET ტრანზისტორებს, მაგრამ Intel 20A-ში გადავა Gate-All-Around (GAA) ტრანზისტორებზე, რომელსაც კომპანიაში RibbonFET-ს უწოდებენ.
GAA დიზაინის საშუალებით მწაროებლებს შეუძლია რამდენიმე არხის ერთმანეთზე დალაგება, რითაც ჩიპების სიმჭიდროვე იზრდება.
Intel 20A-ში ასევე გამოყენებული იქნება PowerVia ტექნოლოგია, რომელიც ჩიპების პროექტირების ახალი მეთდია, სადაც კვება კვება ჩიპს ქვევიდან მიეწოდება. ასეთი დიზაინის გამოყენებისას მიკროსქმის ქვეით არის განთავსებული ენერგიის მიწოდების ფენა, შემდეგ ტრანზისტორები და შემდეგ სასიგნალო არხები.
ტრადიციულ კონსტრუქციაში ტრანზისტორები ქვევითაა განთავსებული და ზევით მოთავსებული კვებისა და სასიგნალო არხების ფენები ერთმანეთშია შერწყმული, რომ მიაღწიონ ტრანზისტორების ფენას.
Intel-მა ღონისძიებაზე ხაზი თავის ისტორიულ უპირატესობაზე მიკროსქემების წარმოებაში. კომპანია ცდილობს აგვიხსნას, რომ 10 ნანომეტრიანი ტექპროცესის პრობლემები უბრალოდ უსიამოვნო ინციდენტია ათწლეულების განმავლობაში ლიდერობის ფონზე. ასეთი არ განმეორდება, Intel-მა გადაწყვიტა დაიბრუნოს ძველი დიდება. კომპანია ამბობს, რომ Intel Foundry Services-ის კლიენტები შეძლებენ ყველაზე ახალი ტექნოლოგიებით სარგებლობას, როგორცაა Intel 3, Intel 20A, Foveros, Foveros Omni, Foveros Direct და PowerVia.
