კომფორტული მუშაობისა და მობილური გართობისთვის, მომხმარებლებს უფრო და უფრო მეტი სივრცე ჭირდებათ, რომლის უზრუნველყოფისათვის მობილური მოწყობილობების მწარმოებლებს დღემდე შენარჩუნებული აქვთ მეხსიერების ბარათისთვის განკუთვნილი სლოტები. Samsung-ის ინჟინრებმა გადაწყვიტეს სხვა გზით წასულიყვნენ და შეექმნათ ჩაშენებადი მეხსიერების მოდული უპრეცენდენტო მოცულობით.
eUFS მეხსიერების მოდული 1 ტერაბაიტი მოცულობით V-NAND ტექნოლოგიითა შექმნილი და შეუძლია 10-ჯერ უფრო სწრაფია ვიდრე ნიბისმიერი microSD ბარათი. მიმდევრობით წაკითხვის სიჩქარე 1000 მეგაბიტამდეა (SATA SSD-ზე 2-ჯერ სწრაფად) ხოლოდ ჩაწერის სიჩქარე 260 მეგაბიტია წამში.
სიახლის გაბარიტები (11.3 x 13.0 მმ.) საშუალებას იძლევა მოდული სმარტფონის თხელ კორპუსშიც მოთავსდეს. ზომის შემცირება სიჩქარეზე დადებითად აისახა და 5 გიგაბაიტიანი ვიდეო ფაილის ჩაწერისთვის საკმარისია სულ რაღაც 5 წამი.
მასიური წარმოება უკვე დაწყებულია და ძალიან მალე პლანშეტების, სმარტფოენის და სხვა გაჯეტების მოხმარებლები დამატებითი მეხსიერების ბარათების გამოყენების აუცილებლობის წინაშე არ დადგებიან.
მოდულების ფასი და მათზე დაფუძნებული მოწყობილობების გაყიდვაში შემოსვლის შესახებ ინფორმაცია მოგვიანებით გავრცელდება
