Samsung Electronics-მა მსოფლიოში პირველი DDR5 512GB მოცულობის ოპერატიული მეხსიერების მოდული წარმოადგინა, რომელიც High-K Metal Gate ტექნოლოგიას იყენებს. ახალი მოდული ორჯერ სწრაფია DDR4-ზე და ამავდროულად ნაკლებ ენერგიას მოიხმარს.
High-K Metal Gate (HKMG) არის ნახევარგამტარების შექმნის მეთოდი დიელექტრიკების გამოყენებით, რომელიც სილიკონის დიოქსიდზე მეტი დიელექტრიკული თვისებებით გამოირჩევა და 2018 წლიდან GDDR6 მეხსიერების მოდულებში გამოიყენება.
TSV ტექნოლოგიის წყალობით DDR5 მეხსიერება 8 ფენიან DRAM მოდულებს აერთიანებს, რითაც 512 GB მოცულობა მიიღწევა. კომპანია აცხადებს, რომ მონაცემთა გადაცემის სიჩქარე 7200 მეგაბიტია წამში, რაც ორჯერ მეტია DDR4-თან მიმართებაში. გარდა ამისა ის 13%-ით ნაკლებ ენერგიას მოიხმარს.
ახალი მეხსიერება პირველ რიგში გამიზნულია სუპერკომპიუტერებისა და ხელოვნური ინტელექტის პრობლემების ამოხსნისთვის. ახლა უკვე კომპანია სხვა და სხვა კლიენტებთან ერთად ატესტირებს ახალ ტექნოლოგიას.
