Samsung Electronics-მა მსოფლიოში პირველი DDR5 512GB მოცულობის ოპერატიული მეხსიერების მოდული წარმოადგინა, რომელიც High-K Metal Gate ტექნოლოგიას იყენებს. ახალი მოდული ორჯერ სწრაფია DDR4-ზე და ამავდროულად ნაკლებ ენერგიას მოიხმარს.

High-K Metal Gate (HKMG) არის ნახევარგამტარების შექმნის მეთოდი დიელექტრიკების გამოყენებით, რომელიც სილიკონის დიოქსიდზე მეტი დიელექტრიკული თვისებებით გამოირჩევა და 2018 წლიდან GDDR6 მეხსიერების მოდულებში გამოიყენება.

TSV ტექნოლოგიის წყალობით DDR5 მეხსიერება 8 ფენიან DRAM მოდულებს აერთიანებს, რითაც 512 GB მოცულობა მიიღწევა. კომპანია აცხადებს, რომ მონაცემთა გადაცემის სიჩქარე 7200 მეგაბიტია წამში, რაც ორჯერ მეტია DDR4-თან მიმართებაში. გარდა ამისა ის 13%-ით ნაკლებ ენერგიას მოიხმარს.

ახალი მეხსიერება პირველ რიგში გამიზნულია სუპერკომპიუტერებისა და ხელოვნური ინტელექტის პრობლემების ამოხსნისთვის. ახლა უკვე კომპანია სხვა და სხვა კლიენტებთან ერთად ატესტირებს ახალ ტექნოლოგიას.

 

პასუხის გაცემა

შეიყვანეტ კომენტარის ტექსტი
შეიყვანეთ თქვენი სახელი