კონფერენციაზე Tech Summit ჰავაიზე, კომპანია Qualcomm-მა ოფიციალურად წარმოადგინა წლის მთავარი სიახლე – ახალი ფლაგმანური პროცესორი Snapdragon 8 Gen 1. მომავალ წელს ის შეცვლის Snapdragon 888 ჩიპს ყველა მწარმოებლის ტოპ სმარტფონებში გარდა Google-ისა და Apple-ისა, რომლებსაც უკვე აქვთ საკუთარი სისტემები ჩიპზე.
Qualcomm-მა ამჯერად ჩიპების დასახელების სიტემა შეცვალა. წლების განმავლობაში გამოიყენებოდა სამი ციფრისგან შემდგარი კომბინაცია: მაგ. Snapdragon 480, Snapdragon 765 ან Snapdragon 888. ახალ სქემაში პირველი ციფრი 8 აღნიშნავს ტოპ სეგმენტს და სახელში გათვალისწინებულია თაობა ისევე, როგორც ამას სამაგიდო პროცესორების მწარმოებლები აკეთებენ.
Snapdragon 8 Gen 1 ამართლებს “პირველი თაობის” სახელს იმიტომ, რომ მასში რეალიზებულია მთელი რიგი ინოვაციური ტექნოლოგიები. ეს არის Armv9 Cortex, სრულიად ახალი GPU Adreno, გაუმჯობესებული გამოსახულების დამუშავების კონვეერი ბევრი ახალი ფუნქციით, განახლებული Hexagon NPU/DSP, ინტეგრირებული 5G მოდემი და ეს ყველაფერი Samsung-ის უახლეს 4-ნანომეტრიან ტექნოლოგიურ პროცესზე.
საერთო ჯამში Snapdragon Gen 1 დაახლოებით 20%-ით სწრაფია და 30%-ით ერეგოეფექტურია ვიდრე Snapdragon 888.
მნიშვნელოვანი ტექნიკური მონაცემები
| SoC | Snapdragon 8 Gen 1 | Snapdragon 888 |
| CPU | 1x Cortex-X2 3,0 გჰც1×1024 კბpL2 3x Cortex-A710 2,5 გჰც 3×512 კბ pL2 4x Cortex-A510 1,80 გჰც 2x?? კბ sL2 6 მბsL3 | 1x Cortex-X1 2,84 გჰც 1×1024 კბ pL2 3x Cortex-A78 2,42 გჰც 3×512 კბ pL2 4x Cortex-A55 1,80 გჰც 4×128 კბ pL2 4 მბ sL3 |
| GPU | ახალი თოების Adreno | Adreno 660, 840 მჰც |
| DSP / NPU | Hexagon | Hexagon 780 26 TOPS AI (CPU+GPU+HVX+Tensor) |
| მეხსიერების კონტროლერი | 4x 16-bit CH 3200 მჰც LPDDR5 / 51,2 გბ/წმ 4 მბ სისტემური დონის ქეში | |
| სიგნალის პროცესორი (ISP), კამერა | სამმაგი 18-ბიტიანი Spectra ISP 1x 200 მპ ან 108 МП ZSL ან 64+36 მპ ZSL ან 3x 36 მპ ZSL 8K HDR ვიდეო и 64 მპ სწრაფ ფოტორეჟიმში | სამმაგი14-ბიტიანი Spectra 580 ISP 1x 200 მპ ან 84 მპ ZSL ან 64+25 მპ ZSL ან 3x 28 მპ ZSL 4K HDR ვიდეო და 64 მპ სწრაფ ფოტორეჟიმში |
| კოდირება/დეკოდირება | 8K30 / 4K120 10-ბიტი. H.265 Dolby Vision, HDR10+, HDR10, HLG 720p960 უსასრულოდ | |
| ჩაშენებული მოდემი | X65 (5G NR Sub-6 + mmWave) DL = 10000 მბიტი/წმ UL = 3000 მბიტი/წმ | X60 (5G NR Sub-6 + mmWave) DL = 7500 მბიტი/წმ UL = 3000 მბიტი/წმ |
| ტექპროცესი | Samsung 4 ნმ(უცნობია) | Samsung 5 ნმ (5LPE) |
